Каким свойством должны обладать материал используемый в лазерах

Лазерные материалы, вещества, применяемые в лазерах в качестве активных сред. В 1960 был создан первый лазер, в котором роль активной среды выполнял кристалл рубина (Al2O3 — Сг3+). Позднее стали использоваться смесь газов Ne и Не (1960), силикатное стекло с примесью ионов Nd3+ (1961), кристаллы полупроводникового соединения GaAs (1962), растворы неодима в неорганической жидкости SeOCl2 и растворы органических красителей (1966). К 1973 было известно около 200 различных Л. м., охватывающих вещества во всех агрегатных состояниях: твёрдом, жидком, газообразном и в состоянии плазмы. Л. м. должны удовлетворять ряду требований: иметь набор энергетических уровней, позволяющих эффективно воспринимать подводимую извне энергию и с возможно меньшими потерями преобразовывать её в электромагнитное излучение; обладать высокой оптической однородностью, с тем чтобы исключить потери света из-за рассеяния, а также высокой теплопроводностью и малым коэффициентом термического расширения; быть стойкими по отношению к различным физико-химическим воздействиям, перепадам температуры, влажности и т.п.; сохранять состав и свойства в процессе работы. Твёрдые Л. м. должны обладать, кроме того, высокой прочностью и выдерживать без разрушения механическую обработку (резку, шлифовку, полировку), необходимую при изготовлении из них активных элементов.
Ионные кристаллы с примесями — наиболее представительная группа Л. м. Кристаллы неорганических соединений фторидов (CaF2, LaF3, LiYF4 и др.), окислов (например, Al2O3) или сложных соединений (CaWO4, Y3Al5O12, Са5(РО4)3Р и др.) содержат в своей кристаллич. решётке ионы активных примесей: редкоземельных (Sm2+, Dy2+, Tu2+, Pr3+, Nd3+, Er3+, Ho3+, Tu3+), переходных (Cr3+, Ni2+, Co3+, V2+) элементов или ионов U3+. Концентрация активных примесей в кристаллах составляет от 0,05 до нескольких % по массе. Возбуждение генерации производится методом оптической накачки, причём энергия поглощается, как правило, непосредственно примесными ионами. Эти Л. м. отличает: высокая концентрация активных частиц (1019—1021 ионов на см3), малая ширина линии генерации (0,001—0,1 нм)и малая угловая расходимость генерируемого излучения, способность обеспечить как импульсный, так и непрерывный режимы работы лазера. Недостатки — низкий (1—5%) кпд преобразования электрической энергии в энергию лазерного излучения в системе лампа накачки — кристалл, трудность изготовления лазерных стержней больших размеров и необходимой оптической однородности. Лазерные кристаллы с примесями выращиваются преимущественно путём направленной кристаллизации расплава в кристаллизационных аппаратах, обеспечивающих высокую стабильность температуры расплава и скорости роста кристалла. Содержание посторонних примесей в исходных веществах для выращивания кристаллов не должно превышать 0,01% по массе, а некоторых — наиболее опасных — 0,0001%. Из выращенных кристаллов вырезаются цилиндрические стержни длиной до 250 мм и диаметром 2—20 мм. Торцы стержней шлифуются, а затем полируются. Как правило, стержни изготовляются с плоскими торцами, параллельными друг другу, с точностью 3—5’’ и строго перпендикулярными геометрической оси стержня; в некоторых случаях применяются торцы сферической или др. конфигурации. В табл. 1 приведены химический состав и физические свойства наиболее важных Л. м. на основе примесных кристаллов.
Табл. 1. — Состав и физические свойства лазерных материалов на основе кристаллов с примесями
Кристалл | Активная примесь | Плот | Показатель преломления | Температура плавления, K | Твердость (по минера | Основные длины волн генерации, мкм | |
Вещество | Содержание, % (по массе) | ||||||
Al2O3 | Cr3+ | 0,03—0.7 | 3980 | 1,764 | 2303 | 9 | 0,6943 R1 линия 0,6929 R2 линия |
Y3Al5O12 | Nd3+ | 0,5—2,5 | 4560 | 1,8347 | 2203±20 | 8,5 | 1,0641 при 300 K |
CaWO4 | Nd3+ | 0.5—3 | 6066 | 1,926 | 1843 | 4,5—5 | 1,058 при 300 K |
CaF2 | Dy2+ | 0.02—0,06 | 3180 | 1,4335 | 1639 | 4 | 2,36 при 77 K |
LaF3 | Nd3+ | 0.5—2 | — | — | 1766 | 1,0633 при 295 K 1,0631 при 77 K 1,0399 при 77 K |
В отличие от кристаллов, лазерные стекла имеют неупорядоченную внутреннюю структуру. Наряду со стеклообразующими компонентами SiO2, В2О3, P2O3, BeF2 и др., В них содержатся Na2O, K2O, Li2O, MgO, СаО, BaO, Al2O3, La2O3, Sb2O3 и др. соединения. Активными примесями служат чаще всего ионы Nd3+; используются также Gd3+, Er3+, Ho3+, Yb3+. Концентрация Nd3+ в стеклах доходит до 6% по массе. Достоинством стекол как Л. м., кроме высокой концентрации активных частиц, является возможность изготовления активных элементов больших размеров (до 1,8 м длиной и до 70 мм диаметром) практически любой формы с очень высокой оптической однородностью. Недостатки — большая ширина линии генерации — 3—10 нм и низкая теплопроводность, препятствующая быстрому отводу тепла при мощной оптической накачке. В табл. 2 приведены химический состав и физические свойства лазерных стекол. Стекла варят в платиновых или керамических тиглях. Платина, попадающая в стекло из тигля, снижает мощность лазерного излучения, т.к. создаёт в рабочем элементе очаги механического разрушения. Исходные компоненты шихты для варки стекол не должны содержать посторонних примесей более 0,01—0,001% по массе. Особо опасными для неодимовых стекол являются примеси Fe2+, Sm3+, Pr3+, Dy3+, Co, Ni, Cu.
Табл. 2. — Состав и физические свойства лазерных стекол с неодимом (длина волны генерации 1,06 мкм)
Наименование или шифр стекла | Состав, % (по массе) | Плотность, кг/м3 | Показатель преломления |
Баритовый крон | SiO2—59, BaO—25, Sb2O3—1, K2O—15 (добавки Nd2O3—0,13—10) | 3000 | 1,54 |
0580 | SiO2—67,17, Na2O—15,93, CaO—10,8, Nd2O3—4,78, Al2O3—0,75, Sb2O3 и As2O3—0,38, K2O—0,19 | 2630 | 1,5337 |
Боратное | BaO—35, B2O3—45, Nd2O3—20 | 3870,4 | 1,65 |
Лантаноборосиликатное | добавка Nd2O3—2 | 4340 | 1,691 |
Полупроводниковые Л. м. — кристаллы соединений типа AIIBVI (ZnS, ZnSe, CdS, CdSe, CdTe, PbS, PbSe, PbTe) и AIIIBV (GaPAs, GaAs, GaSb, InAs, InSb), а также кристаллы Те и др. Кристаллы полупроводников выращивают либо из расплава, либо из газовой фазы. Кристаллы для инжекционных лазеров, возбуждаемых путём пропускания через рабочий элемент электрического тока, имеют так называемый р — n переход (см. Электронно-дырочный переход). Толщина р — n перехода составляет 0,1 мкм. Излучение возникает в слое р — n перехода, однако излучающий слой имеет толщину большую, чем р — n переход (~ 2 мкм). Рабочие элементы для инжекционных лазеров, изготовляемые из полупроводниковых кристаллов, имеют форму прямоугольных пластинок размерами 1´1´0,2 мм. Наилучшими энергетическими параметрами обладают р — n переходы в кристаллах GaAs. Достоинства полупроводниковых Л. м. с р — n переходом: высокий (доходящий до 50%) кпд, малые размеры рабочих элементов, большая мощность излучения, получаемая с 1 см2 излучающей поверхности. Недостатки — технологические трудности при получении однородных, высококачественных р — n переходов, широкая линия излучения (~10 нм при комнатной температуре), большая угловая расходимость излучения (1—2°). В полупроводниковых лазерах с электронным возбуждением или оптической накачкой используются кристаллы: чистых соединений без введения каких-либо примесей.
Особенностями газовых Л. м. являются точное соответствие схемы энергетических уровней газа уровням отдельных атомов или молекул, составляющих этот газ, высокая оптическая однородность (световой луч, проходящий в среде газа, практически не рассеивается), очень малая угловая расходимость и узкие линии генерации. Недостаток — низкая концентрация рабочих частиц (всего 1014 — 1017 в см3). В газоразрядных лазерах, где возбуждение осуществляется путём создания электрического разряда в газе, давление колеблется от сотых долей am, т. е. 103н/м2до нескольких am, т. е. (1—9)×105н/м2. Рабочими частицами являются либо атомы газа (Ne, Хе), либо положительно заряженные ионы (Ne2+, Ne3+, Ar2+, Kr2+), либо молекулы (N2, CO2, H2O, HCN). В некоторых случаях к основному рабочему газу для улучшения его работы примешивают другой газ. Так, в гелиево-неоновом лазере активными излучающими частицами являются атомы Ne. Примесь Не улучшает условия возбуждения атомов Ne путём резонансной передачи энергии на их верхние рабочие уровни. В лазерах, возбуждаемых в результате фотодиссоциации, используется газ CFзI при давлении 6,7 кн/м2 (50 мм pm. cm.). В газовых лазерах с возбуждением внешним источником света используются пары щелочного металла Cs.
Жидкие Л. м. по оптической однородности сравнимы с газовыми и имеют высокую плотность активных частиц. Кроме того, жидкость может циркулировать в резонаторе лазера, что обеспечивает эффективный отвод выделяющегося тепла. Недостаток — низкая стойкость к действию мощного излучения оптической накачки и лазерного излучения. В неорганических жидкостях активная примесь — ионы Nd3+ — в концентрации нескольких % по массе растворена в оксихлоридах селена (SeOCl2) или фосфора (POCl3), содержащих хлориды некоторых металлов. Ширина линии генерации не превышает десятых долей нм. Жидкие Л. м. на органических красителях представляют собой растворы молекул родаминов, пиронина, трипафлавина, 3-аминофталамида и др. в этиловом спирте, глицерине, воде, растворах серной кислоты. Возбуждение генерации осуществляется излучением лазеров на кристаллах рубина, неодимовом стекле или светом импульсных газоразрядных ламп. Благодаря широким спектрам излучения растворов органических красителей возможна плавная перестройка длины волны излучения лазера в пределах полосы излучения.
Лит.: Каминский А. А., Осико В. В., Неорганические лазерные материалы с ионной структурой, «Изв. АН СССР. Неорганические материалы», 1966, т. 1, № 12, с. 2049—87; там же, 1967, т. 3, № 3, с. 417—63; там же, 1970, т. 6, № 4, с. 629—696; Карапетян Г. О., Рейшахрит А. Л., Люминесцирующие стекла, как материал для оптических квантовых генераторов, там же, 1967, т. 3, № 2, с. 217—59; «Тр. института инженеров по электротехнике и электронике», 1966, т. 54, № 10, с. 57—70; Оптические квантовые генераторы на жидкостях, «Вестник АН СССР», 1969, № 2, с. 52—57; Степанов Б. И., Рубинов А. Н., Оптические квантовые генераторы на растворах органических красителей, «Успехи физических наук», 1968, т. 95, в. 1, с. 46.
В. В. Осико.
Оглавление БСЭ
Источник
ЛА́ЗЕРНЫЕ МАТЕРИА́ЛЫ, вещества, применяемые в лазерах в качестве активных сред. В 1960 создан первый лазер, в котором роль активной среды выполнял кристалл рубина (α-Al2O3–Cr3+). Позднее появились лазеры, работающие на смеси газов Ne и He (1960), на силикатном стекле с примесью ионов Nd3+ (1961), на кристаллах полупроводникового соединения GaAs (1962), на растворах неодима в неорганич. жидкости SeOCl2, на растворах органич. красителей (1966). К 2010 известно неск. сотен Л. м. во всех агрегатных состояниях – твёрдом, жидком, газообразном и в состоянии плазмы.
Л. м. должны удовлетворять ряду требований: прежде всего иметь набор энергетич. уровней, позволяющий эффективно воспринимать подводимую извне энергию и с возможно меньшими потерями преобразовывать её в индуцированное электромагнитное излучение. Л. м. должны обладать очень высокой оптич. однородностью: градиенты показателя преломления не должны превышать 10–5– 10–6 см–1, а оптич. потери на частоте генерации – 10–3–10–4 см–1. Л. м. имеют высокую теплопроводность, низкий коэф. термич. расширения, обычно они стойкие по отношению к разл. физико-химич. воздействиям, а также к воздействию энергетич. накачки и собств. лазерного излучения.
Твёрдые Л. м. должны обладать достаточно высокой механич. прочностью, чтобы без разрушения выдерживать механич. обработку (резку, шлифовку, полировку) при изготовлении из них активных элементов.
Наиболее представительная группа Л. м. – кристаллы с примесями. Кристаллы неорганич. соединений, простых и сложных по составу фторидов (CaF2, SrF2, LaF3, LiYF4), оксидов и солей (α-Al2O3, CaWO4, YVO4, Y3Al5O12, Gd3Ga5O12, YAlO3), сульфидов и селенидов (PbGa2S4, ZnSe, CdSe) составляют основы (матрицы) Л. м. В качестве активных примесей используются ионы редкоземельных элементов (Pr3+, Nd3+, Sm2+, Dy2+, Er3+ и др.), переходных элементов (Fe2+, Co2+, Ni2+, Cr3+ и др.) и U3+. Для повышения коэф. преобразования энергии накачки в энергию лазерного излучения часто в кристаллы-матрицы вводят вторые примеси, т. н. сенсибилизаторы, в качестве которых используют ионы редкоземельных (Er3+, Yb3+) и переходных элементов (напр., Cr3+).
Особое место в ряду кристаллич. Л. м. занимают кристаллы с центрами окраски. В этих Л. м. роль активных центров, генерирующих лазерное излучение, играют дефекты кристаллич. решётки и их ассоциаты, захватившие или потерявшие один электрон. В этой многочисл. группе Л. м., в которую входят галогениды металлов и некоторые оксидные соединения, выделяются кристаллы LiF c и центрами окраски. Центры окраски обычно образуются при облучении кристаллов LiF разл. ионизирующими излучениями (γ-лучами, быстрыми электронами).
Концентрация активных примесей в кристаллах составляет от 0,05 до нескольких десятков процентов по массе. Генерация возбуждается методом оптич. накачки; при этом различают спектрально неселективную накачку, когда возбуждение производится с помощью газоразрядных ламп, обладающих широким спектром излучения, и спектрально селективную, при которой в качестве источников излучения накачки используются лазерные диоды или др. лазеры на кристаллах, обладающие узкими спектрами излучения. Селективная накачка обеспечивает более высокий кпд генерации (40–80%), чем неселективная (до 10%).
Лазерные кристаллы обычно выращиваются путём направленной кристаллизации расплавов в кристаллизационных аппаратах, обеспечивающих высокую точность поддержания темп-ры расплава и скорости роста кристалла. Для выращивания кристаллов используются расплавы высокой степени чистоты. Концентрации примесей, препятствующих процессу роста или ухудшающих оптич. однородность и спектроскопич. свойства кристаллов, не должны превышать 0,01% по массе, а лимитируемых (наиболее опасных) – 0,001%.
Кристаллизуемые расплавы заключены в цилиндрич. тиглях из тугоплавких металлов (Pt, Ir, Mo) или графита. В некоторых технологиях применяются спец. контейнеры прямоугольной формы из листового Mo. Выращенные кристаллы, представляющие собой цилиндрич. були или прямоугольные пластины, как правило, подвергаются отжигу для снятия внутр. механич. напряжений. Масса выращенных кристаллов может достигать нескольких десятков кг. Из выращенных кристаллов вырезаются лазерные активные элементы в виде цилиндрич. стержней длиной от нескольких мм до 250 мм и диаметром 2–20 мм, прямоугольных пластин и дисков. Рабочие поверхности активных элементов шлифуются и полируются по высокому классу точности: параллельность торцов не ниже 3–5″, а шероховатость поверхностей не больше 0,01 мкм.
К нач. 21 в. широкое распространение получили новые кристаллич. Л. м. – т. н. лазерная оптич. керамика. В отличие от монокристаллов, обладающих непрерывной, строго упорядоченной структурой, лазерная керамика представляет собой поликристаллич. материал, сложенный из монокристаллич. зёрен микронного размера. Основой лазерных керамик являются некоторые оксидные и фторидные соединения с кубич. кристаллич. структурой. Керамич. Л. м. получают компактированием исходных наноразмерных порошков. На начальной стадии компактирования используется метод т. н. шликерного литья – осаждения плотного осадка порошка из концентрир. суспензии, помещённой в спец. пористую водопоглощающую керамич. форму. В заключит. стадии пористая заготовка спекается в вакуумной печи при темп-ре ниже темп-ры плавления материала. В процессе спекания происходит термостимулированная самоорганизация наночастиц и заготовка превращается в максимально плотный оптически прозрачный материал. Преимущество лазерной оптич. керамики перед лазерными кристаллами – существенно более высокая механич. прочность. Кроме того, появляется возможность задавать произвольные форму и размеры лазерных элементов.
См. также Лазерные стёкла.
Источник

Лазерное излучение является видом физической энергии, не встречающимся в природных источниках света. Оно вырабатывается специальными приборами – оптическими квантовыми генераторами (ОКГ) различной конструкции, получившими название – лазеры (от английского словосочетания Light amplification by stimulated emission of radiation – LASER). Принципы его выработки ОКГ были одновременно и независимо открыты в начале 60-х годов российскими и американскими физиками, а уже в конце того же десятилетия были предприняты первые попытки лечебного применения низкоинтенсивных (терапевтических) лазеров, в том числе и для косметологии.
Полупроводниковые и газо-жидкостные лазеры
Лазерное излучение испускается атомами рабочего вещества ОКГ, которое может быть представлено газом, жидкостью, кристаллом, полупроводником.
Лазерное излучение – это электромагнитное излучение оптического диапазона (светового), обладающее такими свойствами как когерентность, монохроматичность, поляризованность и направленность потока излучения, что позволяет создать строго определённую мощность воздействия на поверхности облучаемого объекта.
Лазер – это прибор, который испускает направленный пучок когерентного, поляризованного, монохроматичного электромагнитного излучения, т.е. света в очень узком спектральном диапазоне.
Физические свойства излучения
- Монохроматичность (одноцветность) – все электромагнитные колебания потока имеют одинаковую частоту и длину волны.
- Когерентность (синфазность) – совпадение фаз электромагнитных колебаний.
- Поляризация – фиксированная ориентация векторов электромагнитного излучения в пространстве относительно направления его распространения.
- Направленность – малая расходимость потока излучения.
Особые свойства позволяют концентрировать энергию со строго определенными физическими параметрами и высоким потенциалом биологического и лечебного действия на поверхности объекта. Именно в этом заключается принципиальное отличие от других форм лучистой энергии.
Длина волны лазера
Волна – возмущение (изменение состояния среды или поля), распространяющееся в пространстве с конечной скоростью.
Длина волны – расстояние, на которое распространяется волна за период, равный расстоянию между двумя ближайшими точками среды, колеблющимися в одной фазе. Длина волны электромагнитного излучения оптического диапазона измеряется в нанометрах (нм) или микрометрах (мкм) (1 мкм = 1 000 нм).
Частота импульсов лазера
Частота колебаний (импульсов) – физическая величина, равная числу колебаний (импульсов), совершаемых за единицу времени. Единица измерения в СИ – герц (Гц). 1 Гц – эта частота, при которой 1 колебание совершается за одну секунду.
Мощность лазера
Мощность излучения – средняя мощность, переносимая через какую-либо поверхность. Единица измерения в СИ – Ватт (Вт). Плотность мощности – отношение потока излучения к площади поверхности, перпендикулярной к направлению распространения. Единица измерения в СИ – Вт/см2.
Доза облучения – энергетическая облученность за определенный промежуток времени. Единица измерения в СИ – Дж/м2. 1Д – энергия, полученная при воздействии излучением мощностью в 1 Вт за 1 с. 1 Дж = 1 Вт/1с.
Длина волны лазерного излучения
Одной из важнейших характеристик является длина волны (измеряется в нанометрах или микрометрах). В зависимости от длины волны может принадлежать к различным участкам спектра: ультрафиолетовому, видимому (чаще красному) и инфракрасному.
Спектр лазерного излучения (цвет лазера)
Ультрафиолетовый диапазон
- От 180 до 400 нм.
Видимый спектр
- Фиолетовый 400-450 нм.
- Синий 450-480 нм.
- Голубой 480-510 нм.
- Зелёный 510-575 нм.
- Жёлтый 575-585 нм.
- Оранжевый 585-620 нм.
- Красный 620-760 нм.
Инфракрасный диапазон
- Ближняя область 760 нм -15 мкм.
- Дальняя область 15-30 мкм.
В физиотерапии наиболее часто применяют ближний инфракрасный диапазон, который обладает наибольшим проникающим действием и мягкими биологическими и лечебными эффектами.
Интенсивность лазерного излучения
В зависимости от выходной мощности лазеры подразделяются на:
- Низкоэнергетические (плотность мощности излучения менее 0.4 Вт/см2).
- Среднеэнергетические (плотность мощности излучения 0.4-10 Вт/см2).
- Высокоэнергетические (плотность мощности излучения более 10 Вт/см2).
Наталия Баховец
Автор статьи: кандидат медицинских наук, физиотерапевт, косметолог, аспирант кафедры физиотерапии СПбГМА им. И.М. Мечникова, автор многочисленных книг и методических пособий по аппаратной косметологии,
руководитель и методолог учебного центра АЮНА.
Источник