Каким свойством обладает полупроводниковый диод и где это используется

Схема полупроводникового кремниевого диода. Ниже приведено его символическое изображение на электрических принципиальных схемах.

Полупроводнико́вый диод — полупроводниковый прибор, в широком смысле — электронный прибор, изготовленный из полупроводникового материала, имеющий два электрических вывода (электрода). В более узком смысле — полупроводниковый прибор, во внутренней структуре которого сформирован один p-n-переход.

В отличие от других типов диодов, например, вакуумных, принцип действия полупроводниковых диодов основывается на различных физических явлениях переноса зарядов в твердотельном полупроводнике и взаимодействии их с электромагнитным полем в полупроводнике.

Основные характеристики и параметры диодов[править | править код]

  • Вольт-амперная характеристика
  • Максимально допустимое постоянное обратное напряжение
  • Максимально допустимое импульсное обратное напряжение
  • Максимально допустимый постоянный прямой ток
  • Максимально допустимый импульсный прямой ток
  • Номинальный постоянный прямой ток
  • Прямое постоянное напряжение на диоде при номинальном токе[1] (т. н. «падение напряжения»)
  • Постоянный обратный ток, указывается при максимально допустимом обратном напряжении
  • Диапазон рабочих частот
  • Ёмкость
  • Пробивное напряжение (для защитных диодов и стабилитронов)
  • Тепловое сопротивление корпуса при различных вариантах монтажа
  • Максимально допустимая мощность рассеивания

Классификация диодов[править | править код]

Типы диодов по назначению[править | править код]

  • Выпрямительные диоды предназначены для преобразования переменного тока в постоянный.
  • Импульсные диоды имеют малую длительность переходных процессов, предназначены для применения в импульсных режимах работы.
  • Детекторные диоды предназначены для детектирования сигнала
  • Смесительные диоды предназначены для преобразования высокочастотных сигналов в сигнал промежуточной частоты.
  • Переключательные диоды предназначены для применения в устройствах управления уровнем сверхвысокочастотной мощности.
  • Параметрические
  • Ограничительные диоды предназначены для защиты радио и бытовой аппаратуры от повышения сетевого напряжения.
  • Умножительные
  • Настроечные
  • Генераторные

Типы диодов по частотному диапазону[править | править код]

  • Низкочастотные
  • Высокочастотные
  • СВЧ

Типы диодов по размеру перехода[править | править код]

  • Плоскостные
  • Точечные
  • Микросплавные

Типы диодов по конструкции[править | править код]

  • Диоды Шоттки
  • СВЧ-диоды
  • Стабилитроны
  • Стабисторы
  • Варикапы
  • Светодиоды
  • Фотодиоды
  • Pin диод
  • Лавинный диод
  • Лавинно-пролётный диод
  • Диод Ганна
  • Туннельные диоды
  • Обращённые диоды

Другие типы[править | править код]

  • Селеновый выпрямитель (вентиль)[2]
  • Медно-закисный выпрямитель (вентиль, купрокс)[2]

Примечания[править | править код]

  1. ↑ Зависит от материала p-n перехода.
  2. 1 2 Бензарь В. К. Словарь-справочник по электротехнике, промышленной электронике и автоматике. — Минск: Вышэйшая школа, 1985.

Литература[править | править код]

  • Бензарь В. К. Словарь-справочник по электротехнике, промышленной электронике и автоматике. — Минск: Вышэйшая школа, 1985. — 176 с.
  • Пасынков В. В., Чиркин Л. К. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов. — 4-е изд., перераб. и доп. изд. — М.: Высшая школа, 1987. — 479 с.

Ссылки[править | править код]

  • Полупроводниковый диод. Базовые сведения.
  • Селеновые выпрямители (общая информация)

Источник

Полупроводниковый диод самый простой полупроводниковый прибор, состоящий из одного PN перехода. Основная его функция – это проводить электрический ток в одном направлении, и не пропускать его в обратном. Состоит диод из двух слоев полупроводника типов N и P (Рисунок 1.2.1)

Рисунок 1.2.1 Строение диода

На стыке соединения P и N образуется PN-переход. Электрод, подключенный к P, называется анод. Электрод, подключенный к N, называется катод. Диод проводит ток в направлении от анода к катоду, и не проводит обратно.

Диод в состоянии покоя.

Диод находится в состоянии покоя, когда ни к аноду, ни к катоду не подключено напряжения (Рисунок 1.2.2).

Рисунок 1.2.2 Диод в состоянии покоя

В части N имеются в наличии свободные электроны – отрицательно заряженные частицы. В части P находятся положительно заряженные ионы – дырки. В результате, в том месте, где есть частицы с зарядами разных знаков, возникает электрическое поле, притягивающее их друг к другу.

Под действием этого поля свободные электроны из части N дрейфуют через PN переход в часть P и заполняют некоторые дырки. В итоге получается очень слабый электрический ток, измеряемый в наноамперах. В результате, плотность вещества в P части повышается и возникает диффузия (стремление вещества к равномерной концентрации), толкающая частицы обратно на сторону N.

Обратное включение диода.

Теперь рассмотрим, как у полупроводникового диода получается выполнять свою основную функцию – проводить ток только в одном направлении. Подключим источник питания – плюс к катоду, минус к аноду (рисунок 1.2.3)

Рисунок 1.2.3 Обратное включение диода

В соответствии с силой притяжения, возникшей между зарядами разной полярности, электроны из N начнут движение к плюсу и отдалятся от PN перехода. Аналогично, дырки из P будут притягиваться к минусу, и также отдалятся от PN перехода. В результате, плотность вещества у электродов повышается. В действие приходит диффузия и начинает толкать частицы обратно, стремясь к равномерной плотности вещества.

Как мы видим, в этом состоянии диод не проводит ток. При повышении напряжения, в PN переходе будет все меньше и меньше заряженных частиц.

Прямое включение диода.

Меняем полярность источника питания – плюс к аноду, минус к катоду.

(Рисунок 1.2.4)

Рисунок 1.2.4 Прямое включения диода

В таком положении, между зарядами одинаковой полярности возникает сила отталкивания. Отрицательно заряженные электроны отдаляются от минуса и двигаются сторону pn перехода. В свою очередь, положительно заряженные дырки отталкиваются от плюса и направляются навстречу электронам. PN переход обогащается заряженными частицами с разной полярностью, между которыми возникает электрическое поле – внутреннее электрическое поле PN перехода. Под его действием электроны начинают дрейфовать на сторону P. Часть из них рекомбинируют с дырками (заполняют место в атомах, где не хватает электрона). Остальные электроны устремляются к плюсу батарейки. Через диод пошел ток ID.

1.2.1 Выпрямительные диоды

Выпрямительный диод — это полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования переменного тока в постоянный.

В основе работы выпрямительных диодов лежит свойство односторонней проводимости рn-перехода, которое заключается в том, что последний хорошо проводит ток (имеет малое сопротивление) при прямом включении и практически не проводит ток (имеет очень высокое сопротивление) при обратном включении.

Основными параметрами выпрямительных полупроводниковых диодов являются:

  • прямой ток диода Iпр, который нормируется при определенном прямом напряжении (обычно Uпр=1…2В);
  • максимально допустимый прямой ток Iпр.мах диода;
  • максимально допустимое обратное напряжение диода Uобр.мах, при котором диод еще может нормально работать длительное время;
  • постоянный обратной ток Iобр, протекающий через диод при обратном напряжении, равном Uобр.мах;
  • средний выпрямленный ток Iвп.ср, который может длительно проходить через диод при допустимой температуре его нагрева;
  • максимально допустимая мощность Pмах, рассеиваемая диодом, при которой обеспечивается заданная надежность диода.

Для сохранения работоспособности германиевого диода его температура не должна превышать +85°С, кремниевые диоды могут работать при температуре до +150°С.

Вольт-амперная характеристика германиевого и кремниевого диода представлена на рисунке 1.2.1.1

Рисунок 1.2.1.1 Вольт-амперная характеристика германиевого и кремниевого диода: а−германиевый диод; б−кремниевый диод

Падение напряжения при пропускании прямого тока у германиевых диодов составляет Uпр=0,3…0,6В, у кремниевых диодов Uпр=0,8…1,2В.

Большие падения напряжения при прохождении прямого тока через кремниевые диоды по сравнению с прямым падение напряжения на германиевых диодах связаны с большей высотой потенциального барьера рn- переходов, сформированных в кремнии. С увеличением температуры прямое падение напряжения уменьшается, что связано с уменьшением высоты потенциального барьера. При подаче на полупроводниковый диод обратного напряжения в нем возникает незначительный обратный ток, обусловленный движением не основных носителей заряда через рn-переход. При повышении температуры рn-перехода число не основных носителей заряда увеличивается за счет перехода части электронов из валентной зоны в зону проводимости и образования пар носителей заряда электрон-дырка. Поэтому обратный ток диода возрастает. В случае приложения к диоду обратного напряжения в несколько сотен вольт внешнее электрическое поле в запирающем слое становится настолько сильным, что способно вырвать электроны из валентной зоны в зону проводимости (эффект Зенера). Обратный ток при этом резко увеличивается, что вызывает нагрев диода, дальнейшей рост тока и, наконец, тепловой пробой (разрушение) рn-перехода.

Большинство диодов может надежно работать при обратных напряжениях, не превышающих (0,7…0,8) Uпроб. Допустимое обратное напряжение германиевых диодов достигает − 100…400В, а кремниевых диодов − 1000…1500В.

Выпрямительные диоды применяются для выпрямления переменного тока (преобразования переменного тока в постоянный); используются в схемах управления и коммутации для ограничения паразитных выбросов напряжений, в качестве элементов электрической развязки цепей и т.д.

1.2.2 Полупроводниковый стабилитрон

Полупроводниковый стабилитрон — это полупроводниковый диод, напряжение на котором в области электрического пробоя слабо зависит от тока и который используется для стабилизации напряжения.

В полупроводниковых стабилитронах используется свойство незначительного изменения обратного напряжения на рn-переходе при электрическом (лавинном или туннельном) пробое. Это связано с тем, что небольшое увеличение напряжения на рn-переходе в режиме электрического пробоя вызывает более интенсивную генерацию носителей заряда и значительное увеличение обратного тока.

Низковольтные стабилитроны изготовляют на основе сильнолегированного (низкоомного) материала. В этом случае образуется узкий плоскостной переход, в котором при сравнительно низких обратных напряжениях (менее 6В) возникает туннельный электрический пробой. Высоковольтные стабилитроны изготавливают на основе слаболегированного (высокоомного) материала. Поэтому их принцип действия связан с лавинным электрическим пробоем.

Основные параметры стабилитронов:

  • Напряжение стабилизации Uст (Uст=1…1000В);
  • минимальный Iст.міn и максимальный Iст.мах токи стабилизации (Iст.міn»1,0…10мА, Iст.мах»0,05…2,0А);
  • максимально допустимая рассеиваемая мощность Рмах;
  • дифференциальное сопротивление на участке стабилизации
  • температурный коэффициент напряжения на участке стабилизации:

TKU стабилитрона показывает на сколько процентов изменится стабилизирующее напряжение при изменении температуры полупроводника на 1°С (TKU=−0,5…+0,2)

Условно графическое обозначение стабилитрона представлена на рисунке 1.2.2.1.

Рисунок 1.2.2.1 Условно графическое обозначение стабилитрона а) не симметричный стабилитрон б) симметричный стабилитрон

Вольт-амперная характеристика стабилитрона на рисунке 1.2.2.2

Рисунок 1.2.2.2 Вольт-амперная характеристика стабилитрона

Стабилитроны используют для стабилизации напряжений источников питания, а также для фиксации уровней напряжений в различных схемах.

Существуют также двухсторонние (симметричные) стабилитроны, имеющие симметричную ВАХ относительно начала координат. Стабилитроны допускают последовательное включение, при этом результирующее стабилизирующее напряжение равно сумме напряжений стабилитронов: Uст = Uст1 + Uст2 +…

1.2.3 Туннельный диод

Туннельный диод — это полупроводниковый диод на основе вырожденного полупроводника, в котором туннельный эффект приводит к появлению на вольт-амперной характеристике при прямом напряжении участка отрицательного дифференциального сопротивления.

Туннельный диод изготовляется из германия или арсенида галлия с очень большой концентрацией примесей, т.е. с очень малым удельным сопротивлением. Такие полупроводники с малым сопротивлением называют вырожденными. Это позволяет получить очень узкий рn-переход. В таких переходах возникают условия для относительно свободного туннельного прохождения электронов через потенциальный барьер (туннельный эффект). Туннельный эффект приводит к появлению на прямой ветви ВАХ диода участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением.

Основные параметры туннельных диодов:

  • Пиковый ток Iп – прямой ток в точке максимума ВАХ;
  • ток впадины Iв − прямой ток в точке минимума ВАХ;
  • отношение токов туннельного диода Iп/Iв;
  • напряжение пика Uп – прямое напряжение, соответствующее пиковому току;
  • напряжение впадины Uв − прямое напряжение, соответствующее току впадины;

Туннельные диоды используются для генерации и усиления электромагнитных колебаний, а также в быстродействующих переключающих и импульсных схемах.

Вольт-амперная характеристика туннельного диода и его УГО представлена на рисунке 1.2.3.1

Рисунок 1.2.3.1 Вольт-амперная характеристика туннельного диода и его УГО

1.2.4 Обращенный диод

Обращенный диод — диод на основе полупроводника с критической концентрацией примесей, в котором проводимость при обратном напряжении вследствие туннельного эффекта значительно больше, чем при прямом напряжении.

Принцип действия обращенного диода основан на использовании туннельного эффекта. Но в обращенных диодах концентрацию примесей делают меньше, чем в обычных туннельных. Поэтому контактная разность потенциалов у обращенных диодов меньше, а толщина рn-перехода больше. Это приводит к тому, что под действием прямого напряжения прямой туннельный ток не создается. Прямой ток в обращенных диодах создается инжекцией не основных носителей зарядов через рn-переход, т.е. прямой ток является диффузионным. При обратном напряжении через переход протекает значительный туннельный ток, создаваемый перемещение электронов сквозь потенциальный барьер из р-области в n-область. Рабочим участком ВАХ обращенного диода является обратная ветвь. Таким образом, обращенные диоды обладают выпрямляющим эффектом, но пропускное (проводящее) направление у них соответствует обратному включению, а запирающее (непроводящее) – прямому включению.

Вольт-амперная характеристика обращенного диода и его УГО представлена на рисунке 1.2.4.1

Рисунок 1.2.4.1 Вольт-амперная характеристика обращенного диода и УГО

Обращенные диоды применяют в импульсных устройствах, а также в качестве преобразователей сигналов (смесителей и детекторов) в радиотехнических устройствах.

1.2.5 Варикапы

Варикап — это полупроводниковый диод, в котором используется зависимость емкости от величины обратного напряжения и который предназначен для применения в качестве элемента с электрически управляемой емкостью. Полупроводниковым материалом для изготовления варикапов является кремний.

Основные параметры варикапов:

  • номинальная емкость Св– емкость при заданном обратном напряжении (Св=10…500 пФ);
  • коэффициент перекрытия по емкости (отношение емкостей варикапа при двух заданных значениях обратных напряжений.)

(Кс=5…20)

Варикапы широко применяются в различных схемах для автоматической подстройки частоты, в параметрических усилителях.

На рисунке 1.2.5.1 представлена вольт-амперная характеристика варикапа и его УГО

Рисунок 1.2.5.1 Вольт-амперная характеристика варикапа и УГО

1.2.6 Светоизлучающие диоды

Светодиодами называются маломощные полупроводниковые источники света, основой которых является излучающий рппереход. Свечение рn-перехода вызвано рекомбинацией носителей заряда. При подаче прямого напряжения электроны из n-области проникают в p-область, где рекомбинируют с дырками и излучают освободившуюся энергию в виде света.

Светодиоды изготавливаются из карбида кремния, арсенида или фосфида галлия. Свечение может быть весьма интенсивным и лежит в инфракрасной, красной, зеленой и синей частях спектра. Светодиод начинает испускать свет, как только подается прямое напряжение, причем с ростом тока интенсивность свечения увеличивается.

Основными параметрами светодиодов являются:

  • Ризлуч – полная мощность излучения (до 100 мВт).
  • Unp – постоянное прямое напряжение (порядка единиц вольт) при – const.
  • Iпр. – постоянный прямой ток (до 110 мА).
  • Цвет свечения.

Прямая ветвь ВАХ светодиода и его условное обозначение показаны на рисунке 1.2.6.1

Рисунок 1.2.6.1 ВАХ светодиода и его УГО

Светодиоды применяют в устройствах визуального отображения информации.

1.2.7 Фотодиоды

Фотодиод — это полупроводниковые приборы, принцип действия которых основан на внутреннем фотоэффекте, состоящем в генерации под действием света электронно-дырочных пар в рппереходе, в результате чего увеличивается концентрация основных и неосновных носителей заряда в его объеме. Обратный ток фотодиода определяется концентрацией неосновных носителей и, следовательно, интенсивностью облучения. Вольт-амперные характеристики фотодиода (рисунок 1.2.7.1 (см. стр.28)) показывает, что каждому значению светового потока Ф соответствует определенное значение обратного тока. Такой режим работы прибора называют фотодиодным.

Фотодиод обозначается на схеме на рисунке 1.2.7.2

Рисунок 1.2.7.2 УГО фотодиода

Рисунок 1.2.7.1 Вольт-амперная характеристика фотодиода

Фотодиоды применяются в качестве датчиков освещенности.

  Задания для самостоятельной работы

Задание для самостоятельной работы

по теме 1.2 «Полупроводниковые диоды»

Скачать файл задания целиком.

№1. Заполнить таблицу и поместить ее в чате.

Оценить работы своих одногруппников с помощью смайликов.    

Тип диода

Основное характерное свойство диода

Применение

Выпрямительный

Стабилитрон

Варикап

Светодиод

Фотодиод

Туннельный

№2. Рассчитать сопротивления выпрямительного диода:

прямое статическое – R пр.ст.

прямое динамическое – R пр.дин.

обратное статическое – R обр.ст.

обратное динамическое – R обр.дин.

Для температур Т1, оС; Т2 , оС.

Полученные результаты занести в таблицу:

R, Ом

Т1о=

Т2о=

R пр.ст.

R пр.дин.

R обр.ст.

R обр.дин.

Сделать вывод о зависимости сопротивления выпрямительного диода от температуры. И объяснить величины полученных результатов.

 (Исходные данные по вариантам представлены в таблице 1.)

МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ (АЛГОРИТМ ВЫПОЛНЕНИЯ ЗАДАНИЯ)

Из справочника [лит-ра 1] переносим в  работу вольт-амперную характеристику выпрямительного диода (прямую ветвь и обратную ветвь). См. рис. 1.1. для данных температур.

         Для определения прямого статического сопровождения выпрямительного диода находим точку А по значению заданного тока Iпр. и определяем Uпр.А

 , [Ом]

         Для определения прямого динамического сопротивления выпрямительного диода к вольт-амперной характеристике в точке А проводим касательную, по оси Х находим Uпр.кас:

, [Ом]

         Для расчета обратного сопротивления выпрямительного диода по заданному Uобр. находим точку Б на обратной ветви вольт-амперной характеристики, дальнейший расчет выполняем аналогично как и для прямого сопротивления (см. рис. 1.1)

, [Ом]

, [Ом]

Рисунок  1.1.

      Таблица 1

Вариант

Тип диода

Iпр

Uобр

01

Д 2Б

20 мА

50 В

02

Д 2Г

03

Д 2Ж

22 мА

60 В

04

МД 217

35 мА

40 В

05

МД 218А

40 мА

50 В

06

МД 226

50 мА

40 В

07

Д 229Б

15 мА

60 В

08

Д 302

30 мА

40 В

09

КД 103А

30 мА

40 В

10

ГД 107А

11

КД 221Б(1)

12

КДС 111А

13

Д 305

14

Д9Б

15

Д223Б

16

КД104А

45 мА

300 В

17

КД105Б

55 мА

320 В

18

Д9Л

19

Д 237Б

20

КД212Б

50 мА

350 В

21

Д 229А

22

Д 237Б

23

КЦ 407А(1)

24

КД 102Б

40 мА

350 В

25

МД 226Е

26

КДС 627А(3)

27

Д223Б

15 мА

18 В

28

КД 102А

60 мА

380 В

Литература

  1. В. И. Галкин и др. Справочник. Полупроводниковые приборы. Диоды. Тиристоры, Минск, «Беларусь», 1994.
  2. В. И. Галкин и др. Полупроводниковые приборы. Справочник, Минск, «Беларусь», 1987.

Источник